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存储器需求疲软 企业见势不对 缩减投资

2019-01-25 11:03:07 来源:大比特商务网 作者:陈钰晶 点击:6162

【大比特导读】受大环境影响,手机、PC、服务器等终端市场疲软,城门失火殃及池鱼,受连累的存储器也逃不过利益缩水的危况,三星、SK海力士、美光等存储大厂纷纷调整生产战略,这对于国内存储企业是好还是坏呢?

受大环境影响,手机、PC、服务器等终端市场疲软,城门失火殃及池鱼,受连累的存储器也逃不过利益缩水的危况,三星、SK海力士、美光等存储大厂纷纷调整生产战略,这对于国内存储企业是好还是坏呢?

手机需求放缓

对于刚过去的2018年,手机销量总体平平。据中国信息通信研究院发表的数据显示,2018年国内手机市场总体出货量为4.14亿部,同比下降15.6%。据多家调查机构数据显示,2018年全球智能手机销量同比下降在1%-3%。

手机需求疲软

全球手机需求疲软,预计2019年手机产量为14.1亿台,比2018年同比下降3.3%。加上中美贸易战的影响,下降幅度有可能会扩大到5%由于市场疲软,苹果最新款的销售情况没有达到预期,甚至iPhone XR的库存已经膨胀,网友更是放出“苹果滞销,救救果农”的图片。近日来,国内电商平台包括京东、苏宁等已对iPhone8、iPhone 8 Plus、iPhoneXR三款机型大幅降价。

苹果手机滞销

受多种因素影响,导致手机市场整体低迷,援引某行内人士观点,智能手机行业终于接近饱和,换机行为持续拉长,从用户的角度来看,这主要由三个长期因素所驱动:升级到最新型号手机的好处不断减少、新设备的平均价格不断上涨、越来越多的人不愿将智能手机视为一两年就要处理掉的东西。

同时,也受整体大环境的影响。据韩媒《世界日报》报道,手机销量下滑的主要原因是因为国际贸易环境不确定因素等影响,生产量减少率将达5%。

不仅手机需求疲软,PC和服务器等销量也有所下降。

存储器利益缩水

手机市场的萎缩,导致存储芯片也受挫。存储器澳门永利网上娱乐于所有个人消费类或工业设备,包括手机、笔记本、服务器等,三星、SK海力士和美光作为存储器的全球性企业,纷纷受到波及,利润都有所下降。

“成也存储,败也存储”是对存储大厂三星的论调,三星永利奥门娱乐场的营收贡献了78%的利润,其中存储和面板占据了大部分,有关人士戏称,卖手机也可能是卖芯片的工具。从2018年第四季度三星负责芯片制造的营业利润来看,首度低于10万亿韩元,三星电子表示,盈利下降部分原因是存储器需求疲软,芯片需求疲软是导致三星业绩不尽人意的主要原因。

三星

海力士也表示2018年第四季度DRAM芯片的出货量下跌2%,其销售价格环比降低11%。在NAND闪存芯片领域,海力士当季的出货量上涨一成,但平均售价则缩水21%。

同样,美光也深受其害,美观发布的2019年Q1财报业绩显示,已经呈走跌趋势,营收环比衰退6%。

另外,存储市场产能过剩导致价格下跌。DRAM内存价格的下降对三星、SK海力士和美光三大存储公司整体不利。据DRAMeXchange的数据显示,从2018年下半年开始,NAND闪存价格下滑了15%,预计2019年第一季度价格下滑幅度约为15%。另一方面,更有观点认为NAND闪存将出现价格腰斩的局面,如果2019年没有强劲的需求支撑,价格将下跌50%。

三星、SK海力士、美光减产

据DRAMeXchange最新调查指出,PC、智能手机和伺服器等终端产品需求疲软,为了改善存储器供应过剩的局面,适应经济放缓的趋势,三星、美光、SK海力士等纷纷调整产出量、减缓投资计划,下调资本支出等战略,以缓价格跌势。

三星则采用“非常经营模式”来挽救存储价格,将减少DRAM内存设备的采购,适应DRAM内存的供需情况,等待下一轮高增长需求出现,并且,三星在2019年转投更有信心的5G、人工智能领域。

SK海力士今年投资DRAM的金额降至55亿美元,主要用于新制程转进及良率提升。美光则下调今年投资DRAM至30亿美元左右,并且为了应对产业低迷的状况,用15亿美元收购全资控股英特尔的IF Flash,研发3-D XPoint技术。

SK海力士

存储企业陆续放出减产投资计划,台湾DRAM大厂南亚科总经理李培瑛表示:“DRAM厂同步降低今年资本支出,主要是要减缓产能过剩压力,并减缓价格下跌速度。但他也表示,在消费电子领域,短期内受中美贸易的不稳定因素干扰,DRAM搭载容量仍维持成长,2019年DRAM市场总体需求仍会稳定增加。”

国产存储加大自主研发进程

在全球经济放缓的背景下,中国迎来绝佳的“逆战期 ”,韩国永利奥门娱乐场产业协会常务董事安基贤认为:“在经济衰退时期能够清楚一家企业真正的实力,由于美国的阻拦,中国芯片制造商不得不加大自主研发力度。”

存储事业一直都是本土产业的“芯病”,一直被美日韩大厂所控制,为了实现自主可控的目的,紫光集团在国产存储更进一步。紫光集团旗今年1月8日宣布成功实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产。紫光表示, 这标志着内资封测产业在3D NAND先进封装测试技术实现从无到有的重大突破。

3D NAND

据媒体报道,长江存储在八月的Flash Memory Summit上宣布64层的3D NAND将会在今年第三季度实现量产。时任长江存储执行董事、代行董事长高启全强调,长江存储将与三星、SK海力士、东芝等国际大厂的技术差距缩短至一代左右,并考虑要自主开发DRAM技术,切入点可能是18/20纳米制程。

在技术方面,国内存储正在扮演一个追赶者的角色。西部数据在2017年时就已经成功研发出96层芯片和QLC技术,2018年五月,三星宣布已经批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存。当下国内存储事业努力缩小与国际大厂的差距,尽管中国永利奥门娱乐场产业在NAND、DRAM等领域取得不错的进步,但是依然存在着很大的不足,相信国产存储会走出一条康庄大道。

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